在第二代半導體中，砷化鎵（GaAs）被認為目前*成熟的化合物半導體材料之一，與硅（Si） 相比，具有禁帶寬（1.42eV）、電子遷移率高（8500 cm2/V·s）、電子飽和漂移速度高、能帶結構為直接帶隙等特性，常用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等，其相關器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，因此受到通信領域和國防與航空航天領域的重視。
       

 異丙醇不過在自然界中并不存在砷化鎵晶體，它屬于人工晶體材料的一種，其多晶合成和單晶生長技術的實現都需要依賴于單質砷、鎵的物理化學反應。在這個過程中，原材料的純度越高，就越能顯示出材料的本征特性，材料的應用價值也能更好地發揮出來，在半導體領域更是如此，目前用于制備半導體材料砷化鎵的單質砷的純度多為99.9999%（6N）和99.99999%（7N）。

   高純砷技術方面的高要求，導致全世界只有少數發達國家能夠穩定生產高純砷。不過由于電子信息制造業的飛速發展，砷化鎵等材料也受到了利好驅動，因此高純砷的制備技術正隨著砷化鎵需求的增加而飛速發展。 如果您想對這方面深入了解的話，在“2021全國高純粉體與晶體材料創新發展論壇”上， 揚州中天利新材料股份有限公司的技術副總李顯坪先生將為我們帶來題為《99.99999%(7N)高純砷制備技術及其砷化鎵半導體晶體的應用》的報告。